半導体装置事業の歩み

1910年代
  • 東京計器製作所の光学部門と岩城硝子製造所の反射鏡部門を統合、三菱合資会社社長、岩崎小彌太氏の出資をもって日本光学工業(株)を設立(1917年)
  • 大井工場(現 大井製作所)、完成(1918年)
  • 光学ガラスの製造研究に着手(1918年)
1920年代
  • 技術指導のためドイツ人技師8名を招聘(1921年)
1940年代
  • 東京および大阪証券取引所に株式上場(1949年)
1960年代
  • 大井製作所大船工場(現 横浜製作所)を新設(1967年)
  • (株)橘製作所(1977年(株)水戸ニコン、2007年(株)水戸ニコンプレシジョンに社名変更、2010年に解散)を設立(1968年)
  • ルーリングエンジン1号機を納品(1964年)
1970年代
  • SR-1号機の開発に着手(超エル・エス・アイ技術研究組合からの委託)(1976年)
  • SR-1号機、完成(1978年)
1980年(昭和55年)
  • 国産初のステッパー、NSR-1010Gを発表、出荷開始(解像度1.0 μm=1,000 nm)
NSR-1010G
1981年(昭和56年)
  • (株)蔵王ニコン(現 (株)宮城ニコンプレシジョン)を設立
  • NSR-1505G(解像度1,200 nm)
1982年(昭和57年)
  • 米国にNikon Precision Inc.(略称NPI)を設立
  • 横浜製作所内に超LSI製造装置(露光装置)専用工場、完成
  • 米国へ露光装置を初出荷
1983年(昭和58年)
  • 横浜製作所内にステッパー専用工場の生産スペースを拡張
1984年(昭和59年)
  • 熊谷製作所を新設
  • NSR-1505G2A(解像度1,000 nm)
  • 世界初のi線ステッパー、NSR-1010i2(解像度800 nm)
1985年(昭和60年)
  • NSR-HT3025G(解像度2,000 nm)
1987年(昭和62年)
  • (株)ニコンテックを設立
  • NSR-1505G4B(解像度900 nm)
  • SX-5(解像度500 nm)
  • 半導体露光装置の販売台数が1,000台を達成
1988年(昭和63年)
  • 「株式会社ニコン」に社名変更
  • 西ドイツ(現 ドイツ)にNikon Precision Europe GmbH(略称NPE)を設立
  • 世界初のエキシマステッパー、NSR-1505EX(解像度500 nm)
  • NSR-1505G6E(解像度650 nm)
1989年(平成元年)
  • 熊谷製作所、第二期工事を竣工
  • NSR-1505i6A(解像度650 nm)
  • 半導体露光装置の販売台数が2,000台を達成
  • NSR-1755G7A(解像度650 nm)
1990年(平成2年)
  • 韓国にNikon Precision Korea Ltd.(略称NPK)を設立
  • 米国カリフォルニア州ベルモントにNPI新社屋、完成
  • 熊谷製作所、第三期工事を竣工
  • NSR-2005G8C(解像度550 nm)
1991年(平成3年)
  • 栃木ニコン、露光装置用レンズ生産用の新棟竣工
  • NSR-1755EX8A(解像度450 nm)
1992年(平成4年)
  • 熊谷製作所、第四期(6号館)工事を竣工
  • 半導体露光装置の販売台数が3,000台を達成
1993年(平成5年)
  • ドイツ・ランゲンにNPE新社屋、完成
  • 膜磁気ヘッド用半導体露光装置NSR-TFH1
  • NSR-2005i10C(解像度450 nm)
1994年(平成6年)
  • NSR-4425i(解像度700 nm)
  • NSR-2205i11D(解像度≦ 350 nm)
1995年(平成7年)
  • 台湾にNikon Precision Taiwan Ltd. を設立
  • 半導体露光装置の販売台数が4,000台を達成
  • 世界初のKrFスキャナー、NSR-S201A(解像度≦ 250 nm)
NSR-S201A
1996年(平成8年)
  • 米国にNikon Research Corporation of America を設立
  • NSR-2205EX12B(解像度≦ 280 nm)
  • NSR-2205i12D(解像度≦ 350 nm)
  • 半導体露光装置の販売台数が5,000台を達成
1997年(平成9年)
  • NPE、スコットランドにトレーニングセンターを設立
  • NSR-2205EX14C(解像度≦ 250 nm)
  • NSR-2205i14E(解像度≦ 350 nm)
1998年(平成10年)
  • 熊谷製作所、第五期(7号館)工事を竣工
  • EB(電子ビーム)露光装置の電子光学系の実証実験に成功
  • NSR-S203B(解像度≦ 180 nm)
1999年(平成11年)
  • 世界初のArFドライスキャナー、NSR-S302A(解像度≦ 180 nm)
  • NSR-SF100(解像度≦ 400 nm)
  • NSR-S204B(解像度≦ 150 nm)
  • NSR-2205i14E2(解像度≦ 350 nm)
  • NSR-S305B(解像度≦ 110 nm)
  • 半導体露光装置の販売台数が6,000台を達成
2000年(平成12年)
  • シンガポールにNikon Precision Singapore Pte Ltd(2013年、Nikon Singapore Pte. Ltd. に吸収合併)を設立
  • 栃木ニコン、クリーンルームを増床
  • NSR-S205C(解像度≦ 130 nm)
NSR-S205C
2001年(平成13年)
  • NSR-S306C(解像度≦ 100 nm)
2002年(平成14年)
  • 中国にNikon Precision Shanghai Co., Ltd. を設立
  • 半導体露光装置の販売台数が7,000台を達成
  • NSR-S206D(解像度≦ 110 nm)
2003年(平成15年)
  • NSR-S307E(解像度≦ 80 nm)
  • NSR-SF130(解像度≦ 280 nm)
2004年(平成16年)
  • NSR-S308F(解像度≦ 65 nm)
  • NSR-S208D(解像度≦ 110 nm)
  • 半導体露光装置用偏光照明「POLANO」を販売開始
2005年(平成17年)
  • 世界初NA 1.0の壁を破るNA 1.07の量産用ArF液浸スキャナー、NSR-S609B(解像度≦ 55 nm)
  • NSR-SF140(解像度≦ 280 nm)
  • 半導体露光装置の販売台数が8,000台を達成
2006年(平成18年)
  • NSR-S610C(解像度≦ 45 nm)
  • NSR-SF155(解像度≦ 280 nm)
NSR-SF155
2007年(平成19年)
  • (株)栃木ニコンプレシジョンを設立
  • NSR-S310F(解像度≦ 65 nm)
  • NSR-S210D(解像度≦ 110 nm)
NSR-S310F
2008年(平成20年)
  • (株)仙台ニコンプレシジョン(2009年、(株)宮城ニコンプレシジョンに吸収合併)を設立
  • Streamlign Platform搭載ArF液浸スキャナー、NSR-S620D(解像度≦ 38 nm)
NSR-S620D
2009年(平成21年)
  • (株)水戸ニコンプレシジョンを(株)栃木ニコンプレシジョンに吸収合併
  • (株)仙台ニコンプレシジョンを(株)宮城ニコンプレシジョン(旧 蔵王ニコン)に吸収合併
2011年(平成23年)
  • Streamlign Platform搭載ArFドライスキャナー、NSR-S320F(解像度≦ 65 nm)
  • 半導体露光装置の販売台数が9,000台を達成
2012年(平成24年)
  • NSR-S621D(解像度≦ 38 nm)
2013年(平成25年)
  • Nikon Precision Singapore Pte Ltd をNikon Singapore Pte. Ltd. に吸収合併
  • NSR-S622D(解像度≦ 38 nm)
2014年(平成26年)
  • 本社を品川インターシティに移転(東京都港区港南)
  • NSR-S630D(解像度≦ 38 nm)
  • NSR-S322F(解像度≦ 65 nm)
NSR-S322F
2015年(平成27年)
  • G450Cにて450 mmウェハ対応ArF液浸スキャナー、NSR-S650D、パターニング開始
NSR-S650D
2016年(平成28年)
  • NSR-S631E(解像度≦ 38 nm)
NSR-S631E
  • NSR-S220D(解像度≦ 110 nm)
NSR-S220D
2018年(平成30年)
  • Litho Booster
Litho Booster
  • NSR-S635E(解像度≦ 38 nm)
NSR-S635E