製品紹介

ArF液浸スキャナー

解像度 ≦ 38 nm
NA 1.35
露光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 mm × 33 mm
重ね合わせ精度 SMO*1: ≦ 1.7 nm, MMO*2: ≦ 2.3 nm
スループット ≧ 250 wafers/hour (96 shots),
≧ 270 wafers/hour (96 shots, optional)
  1. Single Machine Overlay:同一号機間の重ね合わせ精度(例 S631E#1 to S631E#1)
  2. Mix and Match Overlay:同一機種間の重ね合わせ精度(例 S631E#1 to S631E#2)
解像度 ≦ 38 nm
NA 1.35
露光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 mm × 33 mm
重ね合わせ精度 SMO*1: ≦ 2 nm, MMO*2: ≦ 3.5 nm
スループット ≧ 200 wafers/hour (125 shots)
  1. Single Machine Overlay:同一号機間の重ね合わせ精度(例 S630D#1 to S630D#1)
  2. Mix and Match Overlay:同一機種間の重ね合わせ精度(例 S630D#1 to S630D#2)

ArFスキャナー

解像度 ≦ 65 nm
NA 0.92
露光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 mm × 33 mm
重ね合わせ精度 SMO*1: ≦ 2.0 nm, MMO*2: ≦ 5.0 nm
スループット ≧ 230 wafers/hour (96 shots)
  1. Single Machine Overlay:同一号機間の重ね合わせ精度(例 S322F#1 to S322F#1)
  2. Mix and Match Overlay:同一機種間の重ね合わせ精度(例 S322F#1 to S322F#2)

KrFスキャナー

解像度 ≦ 110 nm
NA 0.82
露光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 mm × 33 mm
重ね合わせ精度 SMO*1: ≦ 3 nm, MMO*2: ≦ 6 nm
スループット ≧ 230 wafers/hour (96 shots)
  1. Single Machine Overlay:同一号機間の重ね合わせ精度(例 S220D#1 to S220D#1)
  2. Mix and Match Overlay:同一機種間の重ね合わせ精度(例 S220D#1 to S220D#2)
解像度 ≦ 110 nm
NA 0.82
露光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 mm × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 9 nm
スループット ≧ 176 wafers/hour (76 shots)

i線ステッパー

解像度 ≦ 280 nm
NA 0.62
露光光源 i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 mm × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 25 nm
スループット ≧ 200 wafers/hour (76 shots)