旧製品情報

ArF液浸スキャナー

NSR-S630D

解像度 ≦ 38 nm
NA 1.35
露光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 mm × 33 mm
重ね合わせ精度 SMO*1: ≦ 1.7 nm, MMO*2: ≦ 2.5 nm
スループット ≧ 250 wafers/hour (96 shots)
  1. Single Machine Overlay:同一号機間の重ね合わせ精度(例 NSR-S630D#1 to S630D#1)
  2. Mix and Match Overlay:同一機種間の重ね合わせ精度(例 NSR-S630D#1 to S630D#2)

NSR-S621D

解像度 ≦ 38 nm
NA 1.35
露光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 mm × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 2 nm
スループット ≧ 200 wafers/hour (125 shots)

NSR-S620D

解像度 ≦ 38 nm
NA 1.35
露光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 3 nm
スループット ≧ 180 wafers/hour (300 mm wafer, 125 shots)

NSR-S610C

解像度 ≦ 45 nm
NA 1.30
露光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 6.5 nm
スループット ≧ 130 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots)

NSR-S609B

解像度 ≦ 55 nm
NA 1.07
露光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 7 nm
スループット ≧ 130 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots)

ArFスキャナー

NSR-S320F

解像度 ≦ 65 nm
NA 0.92
露光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 mm × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 3 nm
スループット ≧ 200 wafers/hour (125 shots)

NSR-S310F

解像度 ≦ 65 nm
NA 0.92
露光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 mm × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 7 nm
スループット ≧ 174 wafers/hour (76 shots)

NSR-S308F

解像度 ≦ 65 nm
NA 0.92
露光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 8 nm

NSR-S307E

解像度 ≦ 80 nm
NA 0.85
露光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 12 nm

NSR-S306C

解像度 ≦ 100 nm
NA 0.78
露光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 25 × 33 mm
重ね合わせ精度(EGA, |M| + 3σ) ≦ 20 nm

NSR-S305B

解像度 ≦ 110 nm
NA 0.68
露光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 25 × 33 mm
重ね合わせ精度(EGA, |M| + 3σ) ≦ 30 nm

KrFスキャナー/ステッパー

NSR-S208D

解像度 ≦ 110 nm
NA 0.82
露光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 10 nm
スループット ≧ 147 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots)

NSR-S207D

解像度 ≦ 110 nm
NA 0.82
露光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 10 nm

NSR-SF200

解像度 ≦ 150 nm
NA 0.63
露光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 28 nm
スループット ≧ 110 wafers/hour (300 mm wafer)
≧ 120 wafers/hour (200 mm wafer)

NSR-S206D

解像度 ≦ 110 nm
NA 0.82
露光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 25 × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 20 nm

NSR-S205C

解像度 ≦ 130 nm
NA 0.75
露光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 25 × 33 mm
重ね合わせ精度(EGA, |M| + 3σ) ≦ 30 nm

NSR-S204B

解像度 ≦ 150 nm
NA 0.68
露光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 25 × 33 mm
重ね合わせ精度(EGA, |M| + 3σ) ≦ 35 nm

NSR-S203B

解像度 ≦ 180 nm
NA 0.68
露光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 25 × 33 mm
重ね合わせ精度(EGA, |M| + 3σ) ≦ 40 nm

NSR-S202A

解像度 ≦ 250 nm
NA 0.60
露光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 25 × 33 mm
重ね合わせ精度(EGA, |M| + 3σ) ≦ 45 nm

NSR-2205EX14C

解像度 ≦ 250 nm
NA 0.60
露光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率 1:5
最大露光範囲 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重ね合わせ精度(EGA, |M| + 3σ) ≦ 50 nm
アライメントシステム LSA (standard), FIA (standard), LIA (optional)

NSR-2205EX12B

解像度 ≦ 280 nm
NA 0.55
露光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率 1:5
最大露光範囲 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重ね合わせ精度(EGA, |M| + 3σ) ≦ 55 nm
アライメントシステム LSA (standard), FIA (standard), LIA (optional)

NSR-S201A

解像度 ≦ 250 nm
NA 0.60
露光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 25 × 33 mm
重ね合わせ精度(EGA, |M| + 3σ) ≦ 50 nm

NSR-2205EX10B

解像度 ≦ 320 nm
露光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率 1:5
最大露光範囲 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重ね合わせ精度(EGA, |M| + 3σ) ≦ 80 nm

i線ステッパー

NSR-2205i14E2

解像度 ≦ 350 nm
NA 0.63
露光光源 i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率 1:5
最大露光範囲 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重ね合わせ精度 ≦ 40 nm
スループット ≧ 103 wafers/hour (200 mm wafer)

NSR-SF150

解像度 ≦ 280 nm
NA 0.62
露光光源 i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 25 nm
スループット ≧ 180 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots)

NSR-SF140

解像度 ≦ 280 nm
NA 0.62
露光光源 i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 35 nm
スループット ≧ 117 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shots)

NSR-SF130

解像度 ≦ 280 nm
NA 0.62
露光光源 i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 35 nm
スループット ≧ 120 wafers/hour (300 mm wafer)
≧ 120 wafers/hour (200 mm wafer)

NSR-SF120

解像度 ≦ 280 nm
NA 0.62
露光光源 i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 25 × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 35 nm
スループット ≧ 100 wafers/hour (300 mm wafer)
≧ 120 wafers/hour (200 mm wafer)

NSR-SF100

解像度 ≦ 400 nm
NA 0.52
露光光源 i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 25 × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 45 nm
スループット ≧ 80 wafers/hour (300 mm wafer)
≧ 120 wafers/hour (200 mm wafer) 

NSR-2205i12D

解像度 ≦ 350 nm
NA 0.63
露光光源 i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率 1:5
最大露光範囲 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm (6-inch reticle), 20.0 × 20.4 mm (5-inch reticle)
重ね合わせ精度(EGA, |M| + 3σ) ≦ 55 nm

NSR-TFHi12

解像度 ≦ 500 nm
NA 0.30 ~ 0.45 (variable)
露光光源 i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率 1:5
最大露光範囲 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重ね合わせ精度(EGA, |M| + 3σ) ≦ 55 nm

NSR-2205i14E

解像度 ≦ 350 nm
NA 0.63
露光光源 i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率 1:5
最大露光範囲 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重ね合わせ精度(EGA, |M| + 3σ) ≦ 50 nm
アライメントシステム LSA (standard), FIA (standard), LIA (optional)

NSR-4425i

解像度 ≦ 700 nm
露光光源 i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率 1:2.5
最大露光範囲 44 mm square
重ね合わせ精度(EGA, |M| + 3σ) ≦ 100 nm

NSR-2205i11D

解像度 ≦ 350 nm
NA 0.63
露光光源 i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率 1:5
最大露光範囲 22 mm square to 17.9 (H) × 25.2 (V) mm
重ね合わせ精度(EGA, |M| + 3σ) ≦ 70 nm
アライメントシステム LSA (standard), FIA (optional), LIA (optional)