製品紹介

露光装置

ArF液浸スキャナー

解像度 ≦ 38 nm
NA 1.35
露光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 mm × 33 mm
重ね合わせ精度 SMO*1: ≦ 1.5 nm, MMO*2: ≦ 2.1 nm
スループット ≧ 275 wafers/hour (96 shots)
  1. Single Machine Overlay:同一号機間の重ね合わせ精度(例 NSR-S635E#1 to S635E#1)
  2. Mix and Match Overlay:同一機種間の重ね合わせ精度(例 NSR-S635E#1 to S635E#2)
解像度 ≦ 38 nm
NA 1.35
露光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 mm × 33 mm
重ね合わせ精度 SMO*1: ≦ 2 nm, MMO*2: ≦ 3.5 nm
スループット ≧ 200 wafers/hour (125 shots)
  1. Single Machine Overlay:同一号機間の重ね合わせ精度(例 NSR-S622D#1 to S622D#1)
  2. Mix and Match Overlay:同一機種間の重ね合わせ精度(例 NSR-S622D#1 to S622D#2)

ArFスキャナー

解像度 ≦ 65 nm
NA 0.92
露光光源 ArF excimer laser (193 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 mm × 33 mm
重ね合わせ精度 SMO*1: ≦ 2 nm, MMO*2: ≦ 5 nm
スループット ≧ 230 wafers/hour (96 shots)
  1. Single Machine Overlay:同一号機間の重ね合わせ精度(例 NSR-S322F#1 to S322F#1)
  2. Mix and Match Overlay:同一機種間の重ね合わせ精度(例 NSR-S322F#1 to S322F#2)

KrFスキャナー

解像度 ≦ 110 nm
NA 0.82
露光光源 KrF excimer laser (248 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 mm × 33 mm
重ね合わせ精度 SMO*1: ≦ 3 nm, MMO*2: ≦ 6 nm
スループット ≧ 230 wafers/hour (96 shots)
  1. Single Machine Overlay:同一号機間の重ね合わせ精度(例 NSR-S220D#1 to S220D#1)
  2. Mix and Match Overlay:同一機種間の重ね合わせ精度(例 NSR-S220D#1 to S220D#2)

i線ステッパー

解像度 ≦ 280 nm
NA 0.62
露光光源 i-line (365 nm wavelength)
縮小倍率 1:4
最大露光範囲 26 mm × 33 mm
重ね合わせ精度 ≦ 25 nm
スループット ≧ 200 wafers/hour (300 mm wafer, 76 shot), 200 mm wafer 対応可

アライメントステーション

Litho Booster

半導体露光装置の分野で培ったニコン独自の技術を活用した高機能アライメントステーションです。露光前の全てのウェハに対して、高速かつ高精度にグリッド歪みの絶対値を計測。補正値を露光装置にフィードフォワードすることで、スループットを落とさずに重ね合わせ精度を大幅に高め、お客様製品の歩留まりや設備投資効率の向上に寄与します。

計測・検査装置

自動マクロ検査装置
AMI-5600/3500/3000 MarkⅡ

高スループットと卓越した検出感度を共に実現する自動マクロ検査装置です。目視マクロ検査の自動化への置き換えを実現するだけでなく、マクロ検査の精度向上や検査の定量化・明確化を図り、より効率的なプロセス管理を可能にします。

ウェハ外観検査装置
OPTISTATION-3200/3100/3000

簡単かつ迅速な300 mmウェハの目視検査が可能なウェハ外観検査装置です。インライン検査システムおよびR&D欠陥解析の解析ツールとして、生産性の飛躍的な向上に貢献します。

イメージセンサー検査用照明装置
N-SIS9/8

ニコン独自の技術を活用したイメージセンサーの検査用照明装置です。広い照野を高照度で均一に照明し、照度やRGBなどの分光の設定を高速に実現します。